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长鑫国产HBM2内存重大突破DDR5良率明年底可达90

12月29日消息,长鑫存储低调推出DDR5内存以来,更多内幕被挖掘出来,好消息也是接连不断,甚至第二代HBM2高带宽内存也有了重大突破。

据花旗银行的分析报告,长鑫当初在DDR4上的初期良品率只有20-30%,成熟后达到了90%。

得益于DDR4上的丰富经验,长鑫DDR5从一开始的良品率就有40%,目前稳定在80%左右,而且还在继续改进,预计到明年底可以提升到90%左右。

长鑫目前在合肥有两座内存工厂,Fab 1主要生产DDR4,使用的是19nm工艺,每月产能约10万块晶圆。

Fab 2专注于DDR5,用的是17nm工艺,当前月产能大概5万块晶圆,还在持续提升中,预计到明年可翻一番。

当然,三星、SK海力士等的DDR5内存已经升级到12nm工艺,所以长鑫仍有很大的提升空间。

此外,长鑫还在大力推进HBM高带宽内存,一方面提升一代HBM的产能,另一方面二代HBM2已经取得重大突破,正在给客户送样,预计明年年中可小规模量产。

虽然三大原厂已经量产HBM3、HBM3E,并即将推出HBM4,但对于长鑫来说,能搞定HBM2仍然是里程碑式的,对于国产化AI硬件的发展至关重要,比如华为昇腾910系列加速器就依赖于HBM2。

根据早先报道,长鑫从今年第三季度就开始采购HBM2生产设备,尤其是需要更先进的封装技术,涉及TSV、KGSD等等。

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