长鑫国产HBM2内存重大突破DDR5良率明年底可达90
12月29日消息，长鑫存储低调推出DDR5内存以来，更多内幕被挖掘出来，好消息也是接连不断，甚至第二代HBM2高带宽内存也有了重大突破。
据花旗银行的分析报告，长鑫当初在DDR4上的初期良品率只有20-30％，成熟后达到了90％。
得益于DDR4上的丰富经验，长鑫DDR5从一开始的良品率就有40％，目前稳定在80％左右，而且还在继续改进，预计到明年底可以提升到90％左右。
长鑫目前在合肥有两座内存工厂，Fab 1主要生产DDR4，使用的是19nm工艺，每月产能约10万块晶圆。
Fab 2专注于DDR5，用的是17nm工艺，当前月产能大概5万块晶圆，还在持续提升中，预计到明年可翻一番。
当然，三星、SK海力士等的DDR5内存已经升级到12nm工艺，所以长鑫仍有很大的提升空间。
此外，长鑫还在大力推进HBM高带宽内存，一方面提升一代HBM的产能，另一方面二代HBM2已经取得重大突破，正在给客户送样，预计明年年中可小规模量产。
虽然三大原厂已经量产HBM3、HBM3E，并即将推出HBM4，但对于长鑫来说，能搞定HBM2仍然是里程碑式的，对于国产化AI硬件的发展至关重要，比如华为昇腾910系列加速器就依赖于HBM2。
根据早先报道，长鑫从今年第三季度就开始采购HBM2生产设备，尤其是需要更先进的封装技术，涉及TSV、KGSD等等。